RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
53
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3442
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link