RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
53
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2656
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link