RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
53
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2891
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link