RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
53
Wokół strony -112% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2832
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link