RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
53
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3614
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link