RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
53
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3767
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link