RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
53
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3098
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link