RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
53
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3164
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link