RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
53
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3711
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link