RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
53
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2732
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link