RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
53
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3026
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link