RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
53
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2611
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link