RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
53
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2768
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link