RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
53
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
1767
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link