RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
53
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2548
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link