RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
66
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
1934
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link