RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
53
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2619
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link