RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
3437
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link