RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
3437
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link