RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
3401
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link