RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2825
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link