RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
46
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2354
2961
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link