RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2354
2382
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link