RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
53
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
53
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2354
2356
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link