RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
3625
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link