RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
3336
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link