RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
2827
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link