RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
44
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
2920
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link