RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
70
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
70
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
1934
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link