RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
73
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
73
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
1853
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link