RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
1925
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link