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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Pontuação geral
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de 47% menor latência
Razões a considerar
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
49
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1677
2668
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Comparações de RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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