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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
47
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
5.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
47
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
5.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1677
1413
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Comparações de RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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