RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparar
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1654
2374
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link