A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Pontuação geral
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 40
    Por volta de -74% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.5 left arrow 11.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.6 left arrow 7.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 10600
    Por volta de 2.01 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    40 left arrow 23
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.3 left arrow 17.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.5 left arrow 14.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1654 left arrow 3260
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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