RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Comparar
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
40
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.3
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
18.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1654
3826
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link