RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
94
Por volta de -236% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
28
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3732
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link