RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
94
Por volta de -292% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
24
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
15.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3496
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link