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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
94
Por volta de -176% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
34
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3206
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
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