RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
94
Por volta de -248% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
27
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3899
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link