RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
94
Por volta de -236% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
28
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3772
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link