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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
94
Por volta de -236% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
28
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
2354
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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