RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
94
Por volta de -203% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
31
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
15.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3600
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link