RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
64
94
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
64
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
9.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
2205
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link