RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2046
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link