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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
9.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2286
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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