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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
4.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
4.6
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1560
2443
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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