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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
4.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
4.6
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1560
2346
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
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