RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Comparar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
4.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
36
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
4.6
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1560
2247
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Mushkin 991586 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link