RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
26
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
19
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2330
3521
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparações de RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link