RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Comparar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2330
3384
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparações de RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link